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J-GLOBAL ID：200903035430328739

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大関 良雄 ,  松本 邦夫 ,  坂口 勝 ,  吉田 勇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000009951
Publication number (International publication number)：2001196282
Application date： Jan. 13, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】第一の目的は、半導体装置のチップ割れ耐性の向上をコストを増加させずに実現することである。また、第二の目的は、チップ割れ耐性を維持した状態で低コスト化を実現することである。【解決手段】半導体装置3の直交する端辺の長さL1、L2の関係がL1>L2の場合、半導体装置3の長辺L1方向の縦弾性係数E1(4)と、短辺L2方向の縦弾性係数E2(5)の関係をE1>E2とする。また、L1、L2の関係がL1≒L2、半導体装置のL1方向の縦弾性係数E1とL2方向の縦弾性係数E2との関係がE1>E2の場合、半導体装置のL1方向のダイシング速度S1とL2方向のダイシング速度S2との関係をS1>S2とする。

Claim (excerpt)：

厚さが300μm以下に薄形化された半導体装置の直交する端辺の長さL1、L2の関係がL1>L2であり、半導体装置の長辺L1方向の縦弾性係数E1と短辺L2方向の縦弾性係数E2との関係をE1>E2としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/301

FI (4)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 L