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J-GLOBAL ID：200903035431903087
半導体レーザの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209940
Publication number (International publication number)：1998070335
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 レーザチップを損傷させることなく高い歩留まりで個々のレーザチップに分割する方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶の基板202側より、ストライプと垂直方向には発光領域の下部を避けた破線状の溝211を形成する。またストライプと平行な方向には連続した溝211をエッチングにより形成する。この溝に沿って刃を当て力を加えて半導体結晶を劈開する。これにより六方晶基板でも互いに垂直な方向に劈開することができる。
Claim (excerpt)：
半導体結晶中にストライプ状の発光領域を有する半導体レーザにおいて、上記半導体結晶の基板側より上記ストライプと垂直および平行な方向に溝を形成し上記溝に沿って上記半導体結晶を劈開することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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