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J-GLOBAL ID：200903035435971753

反応性ドライエツチング法

Inventor： 山田 裕明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329582
Publication number (International publication number)：1993144781
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 貴金属上に塗布された有機系層間膜のエッチングを行う場合、下地のスパッタによる側壁への付着物を少なくし、かつ異方性のエッチング形状を得る。【構成】 エッチングガスとして、デポジション膜を形成するガスを用いることにより、側壁をデポジションで保護しながらエッチングを行うことにより異方性形状が得られ、かつバイアスが低いため下地からのスパッタによる付着物が少ない。

Claim (excerpt)：

エッチングガスとして、エッチング中にデポジション膜を形成するガス,残差を除去するためのガスおよび有機膜を等方的にエッチングするガスを用い、プラズマを発生させることによりエッチングを進行させる装置を使用し、一定温度,一定ガス流量,一定圧力,一定高周波電力,一定のマイクロ波電力において、貴金属上に塗布された有機系層間膜を、誘電体をマスクとしてエッチングすることを特徴とする反応性ドライエッチング法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/90