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J-GLOBAL ID：200903035436461023
プラズマエツチング方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318331
Publication number (International publication number)：1993129244
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高選択比が得られ、かつ再現性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。【構成】 対向電極3をマイナス200°C以上300°C以下の任意温度に設定する手段7を設けて成る。
Claim (excerpt)：
真空チャンバ(1)内に被エッチングウェーハ(9)を載置するウェーハ載置電極(2)とこれに平行に対向する対向電極(3)を設置し、両電極(2,3)もしくはどちらか一方の電極に交流電力を供給し、かつ真空チャンバ(1)内にエッチングガスを供給して放電させ、プラズマエッチングする方法において、対向電極(3)をマイナス200°C以上300°C以下の任意温度に設定してエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
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