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J-GLOBAL ID：200903035472944707
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218589
Publication number (International publication number)：1996083807
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 長寿命かつ高信頼性を有した化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の新規な構造を提供する。【構成】 III-V 族化合物半導体HBTにおいて、高濃度ベース不純物元素によるベース層およびベース層近傍における格子歪みを緩和し、転位の発生を抑制するためにIII-V 族化合物半導体に対して電気的に中性の不純物元素を高濃度ベース不純物元素と同時にベース層およびベース層近傍のエミッタ層等に添加する。
Claim (excerpt)：
III-V 族化合物半導体を用いたバイポーラトランジスタであって、ベース層に導電性を与える電気的に活性な第1の不純物元素を該ベース層に含み、該III-V 族化合物半導体に対し電気的に中性な第2の不純物元素を該第1の不純物元素の0.02倍から30倍の範囲で、該ベース層、およびベース層近傍のエミッタ層に少なく共含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
