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J-GLOBAL ID：200903035473376460

半導体装置の製造方法

Inventor： 西尾 信哉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991234195
Publication number (International publication number)：1993074927
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】誘電率が低く、LSIの高速化に寄与するBPSGを埋設したトレンチを用いる半導体装置において、トレンチにBPSGを埋設した後に、シリコン基板表面を熱酸化する際に、BPSG中のリンやボロンがアウトディフュージョンし、基板表面に不純物拡散領域が形成されるのを防止する。【構成】トレンチ2内面に、Si O2 膜3、Si3N4 膜4Bといった絶縁膜を形成し、BPSG5Cを埋設した後、BPSG5Cを覆うように溝2より幅が広いSi3N4 膜を形成する。その後、半導体基板1表面を熱酸化しても、半導体基板1にはBPSG5Cからのリンやボロンのアウトディフューションによる拡散領域は形成されない。【効果】従来のBPSG埋設トレンチでアウトディフューションによりトレンチ周囲に形成されていた不純物拡散領域が無くなるため、絶縁分離領域の幅を大幅に縮小できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に溝を形成する工程と、前記半導体基板および前記溝内に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記溝内にリンおよびボロンを含有するシリコン酸化物を埋設する工程と、前記溝よりも幅が広い第2の絶縁膜を前記溝上からその周辺部上にかけて形成する工程と、前記第2の絶縁膜に覆われていない前記第1の絶縁膜を除去する工程と、前記第1および第2の絶縁膜に覆われていない前記半導体基板の表面を熱酸化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-015650
  
• 特開昭55-165637
  
• 特開昭57-053961