Pat

J-GLOBAL ID：200903035475305560

位置合せマーク並びに該マークを有する電子装置及びその製造方法

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004570
Publication number (International publication number)：1995221166
Application date： Apr. 24, 1989
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アライメント精度を高くし、しかも位置合せに要する時間を短縮可能にする位置合せマークを得んとする。【構成】 チップ4のコーナ部表面のSiO2膜5上に、位置合せマーク6が形成されている。この位置合せマーク6は、アルミニウムの帯である高反射率パターン6aがX,Y方向に直交するような十字形状に形成され、且つこのようなアルミニウムの帯の幅方向中央には長手方向(X,Y方向)に沿って、下地SiO2膜5が露出する十字形状の低反射率パターン6bが形成されて成る。これら高反射率パターン6a〜6aと低反射率パターン6bの輪郭は、夫々X,Y方向の成分である直線パターン部で構成されているため、ビデオモニターで位置合せを行なう際に照準が定め易く、位置合せに要する時間が短縮される。これにより位置合せ精度の向上が図られる。

Claim (excerpt)：

金属配線による高反射率パターンと絶縁膜による低反射率パターンの組合わせにより形成された半導体装置の位置合せマークにおいて、前記高反射率パターンは中心点からX,Y方向に延びる直線パターン部を有し、前記低反射率パターンは前記中心点からX,Y方向に延びる直線パターン部を有すると共に、前記高反射率パターンの直線パターン部の中に前記低反射率パターンの直線パターン部を略十字形状に形成したことを特徴とする位置合せマーク。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  G01B 11/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/301

FI (2)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/78 C