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J-GLOBAL ID：200903035484260692

ラインプラズマ気相堆積装置及び方法

Inventor： 森田 達夫 ,  ロバート ジェイ. マルクナス ,  ジル ファウンティアン ,  ロバート ヘンドリー ,  伊藤 政隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  リサーチ トライアングル インスティチュート
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330890
Publication number (International publication number)：1996279498
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 処理される基板表面の損傷が低減された、大きな基板を処理するのに適したラインプラズマ気相堆積装置、及びそれを用いたラインプラズマ気相堆積方法を提供する。【解決手段】 プラズマチャンバ内に電界を生成する電界生成器を備えたプラズマチャンバを有するタイプのプラズマソースにおいて、プラズマチャンバが、プラズマが処理される表面から遠隔に配置され、活性種がプラズマチャンバの細長い放出口を通して該プラズマチャンバに排出するように構成する。

Claim (excerpt)：

プラズマチャンバ内に電界を生成する電界生成器を備えたプラズマチャンバを有するタイプのプラズマソースであって、該プラズマチャンバが、プラズマが処理される表面から遠隔に配置され、活性種が該プラズマチャンバの細長い放出口を通して該プラズマチャンバに排出するように構成されている、プラズマソース。

IPC (9)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46

FI (9)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B