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J-GLOBAL ID：200903035487466771

ガスセンサ用の膜の製造方法

Inventor： 岡崎 慎司 ,  中川 英元 ,  朝倉 祝治 ,  富内 芳昌 ,  辻 伸彦
Applicant, Patent owner： 岡崎 慎司 ,  中川 英元 ,  朝倉 祝治 ,  富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002133239
Publication number (International publication number)：2003329592
Application date： May. 08, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 0°C以下の低温で充分な感度を有し、安全かつ高い信頼性と素子寿命を備えたガスセンサ用の膜の製造方法を提供する。【解決手段】 水素又は含水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属3と、該触媒金属中の前記解離吸着により生成した水素原子により還元されると共に該水素原子が存在しなくなった場合に還元される前の状態に戻る固体化合物半導体4との混合層からなる膜を有する素子と、還元による前記固体化合物半導体の光吸収の変化を検出する光学手段とを備えたガスセンサ用の膜の製造方法において、前記固体化合物半導体のゾルゲル溶液中に、触媒金属化合物、例えば、塩化白金酸または塩化パラジウムを分子レベルで均一に分散させたゾルゲル溶液を、基板2に塗布して焼成して膜を形成した後、乾燥空気中で30〜100°Cで所定時間加熱処理する。

Claim (excerpt)：

水素又は含水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属と、該触媒金属中の前記解離吸着により生成した水素原子により還元されると共に該水素原子が存在しなくなった場合に還元される前の状態に戻る固体化合物半導体との混合層からなる膜を有する素子と、還元による前記固体化合物半導体の光吸収の変化を検出する光学手段とを備えたガスセンサ用の膜の製造方法において、前記固体化合物半導体のゾルゲル溶液中に、触媒金属化合物を分子レベルで均一に分散させたゾルゲル溶液を、基板に塗布して焼成して膜を形成した後、乾燥空気中で30〜100°Cで所定時間加熱処理することを特徴とするガスセンサ用の膜の製造方法。

IPC (3)：

G01N 21/77 ,  G01N 31/00 ,  G01N 31/10

FI (3)：

G01N 21/77 A ,  G01N 31/00 C ,  G01N 31/10

F-Term (14)：

2G042AA01 ,  2G042BB02 ,  2G042BB06 ,  2G042BB14 ,  2G042BB17 ,  2G042CB01 ,  2G042DA07 ,  2G042FB10 ,  2G054AA01 ,  2G054CA04 ,  2G054CA05 ,  2G054CA10 ,  2G054EA04 ,  2G054GA05