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J-GLOBAL ID：200903035497012450
強誘電体メモリ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061762
Publication number (International publication number)：1994275791
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】クロストーク電流が流れない安定した強誘電体メモリ装置を提供すること。【構成】強誘電体メモリ装置は、1つの強誘電体素子10と2つの非線形抵抗素子14から構成された1セルがマトリックス状に形成されている。各強誘電体素子10の一方の電極はデータ電極12に接続され、他方の電極は直列に配された一対の非線形抵抗素子14の接続点に接続されている。非線形抵抗素子14の上記強誘電体素子10と接続されていない側の電極はそれぞれ第1ビット配線電極16,第2ビット配線電極18に接続されている。
Claim (excerpt)：
マトリックス状に形成された複数の強誘電体コンデンサ素子と、前記複数の強誘電体コンデンサ素子それぞれに対応して配された第1及び第2の非線形抵抗素子の直列回路とを具備し、前記複数の強誘電体コンデンサ素子それぞれの一方の電極をデータ電極とし、他方の電極を対応する直列回路の第1及び第2の非線形抵抗素子の接続点に接続し、前記直列回路の両端を第1及び第2ビット電極としたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (2)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
