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J-GLOBAL ID：200903035505369720

半導体装置

Inventor： 柳浦 聡 ,  岡 誠次 ,  藤岡 弘文
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000198427
Publication number (International publication number)：2002016173
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高密度配線が可能で、リフロー時の剥離を防止された半導体装置を得る。【解決手段】 基板1は金属からなる底板11と樹脂複合材からなる枠材12からなり、凹部22を有する。凹部22には半導体チップ2が埋め込まれ、その上には半導体チップ2の端子に層間導通部42を有した絶縁層3が設けられ、絶縁層3には層間導通部と導通する導体配線41を設けられ、さらに導体配線41上にビルドアップ法により、スタッドビアを有する絶縁層と導体配線パターンが積層される。

Claim (excerpt)：

凹部を有する基板、上記凹部に埋め込まれた半導体チップ、上記半導体チップおよび基板表面を被覆し、上記半導体チップの接続端子部に開口を有する絶縁層、上記開口を導電性材料で導通を持たせた層間導通部、並びに上記絶縁層に設け、上記層間導通部と導通する導体配線を備えた半導体装置であって、上記基板が、サーマルバイヤーを形成した樹脂複合材料、または金属からなる底板と、この底板に接着され、上記半導体チップより大きい貫通孔を有し、ポリイミドまたは樹脂複合材料からなる枠材とを備えたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501

FI (3)：

H01L 23/12 501 S ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 J