Pat
J-GLOBAL ID:200903035509746897
電解質ペロブスカイト
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤村 元彦
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004539924
Publication number (International publication number):2006500311
Application date: Sep. 23, 2003
Publication date: Jan. 05, 2006
Summary:
電解質ペロブスカイトおよび電解質ペロブスカイトを合成する方法が、本願明細書において記載されている。基本的には、当該電解質ペロブスカイトは、0-400°Cの温度範囲において10-5S/cm2よりも大なるイオン伝導率を有する固体であり、該イオンはLi+、H+、Cu+、Ag+、Na+またはMg2+である。たとえば、Li1/8Na3/8La1/4Zr1/4Nb3/4O3(5.26x104S/cm)およびLi1/8K1/2La1/8NbO3(2.86x103S/cm)は、本発明により形成された2つのペロブスカイトであり、20°Cで高いLi+伝導率を有している。両組成物とも、同様に、Ag+およびH+イオンを伝導することが試験により確認された。本発明は、電解質ペロブスカイト内にあるイオンをプロトンに置換することで形成できる固体陽子伝導体も含む。電解質ペロブスカイトおよび固体陽子導体は、燃料電池、膜反応器、電流測定型炭化水素センサまたは蒸気電気分解装置を含む多種多様な用途および装置に使用することができる。
Claim (excerpt):
化学式
IPC (10):
C01G 33/00
, B01D 53/22
, B01D 71/02
, H01B 1/06
, H01B 13/00
, H01M 6/18
, H01M 8/02
, H01M 8/12
, H01M 10/36
, C04B 35/00
FI (10):
C01G33/00 Z
, B01D53/22
, B01D71/02 500
, H01B1/06 A
, H01B13/00 Z
, H01M6/18 A
, H01M8/02 K
, H01M8/12
, H01M10/36 A
, C04B35/00 J
F-Term (77):
4D006GA41
, 4D006MB06
, 4D006MB15
, 4D006MC03X
, 4D006NA39
, 4D006NA50
, 4D006PB62
, 4D006PC69
, 4D006PC71
, 4D006PC80
, 4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA07
, 4G030AA09
, 4G030AA10
, 4G030AA11
, 4G030AA13
, 4G030AA16
, 4G030AA17
, 4G030AA18
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA30
, 4G030AA31
, 4G030AA39
, 4G030AA43
, 4G030BA03
, 4G030CA01
, 4G030CA08
, 4G030GA09
, 4G030GA10
, 4G030GA18
, 4G030GA19
, 4G030GA20
, 4G030GA21
, 4G030GA27
, 4G048AA04
, 4G048AA05
, 4G048AB02
, 4G048AB06
, 4G048AC06
, 4G048AD08
, 4G048AE05
, 5G301CA11
, 5G301CA16
, 5G301CA17
, 5G301CA18
, 5G301CD01
, 5G301CE02
, 5H024BB01
, 5H024BB02
, 5H024BB05
, 5H024BB07
, 5H024FF23
, 5H024FF27
, 5H024HH04
, 5H024HH11
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB02
, 5H026BB03
, 5H026BB08
, 5H026EE13
, 5H026HH06
, 5H026HH08
, 5H029AJ06
, 5H029AM12
, 5H029AM14
, 5H029CJ02
, 5H029CJ03
, 5H029CJ08
, 5H029EJ05
, 5H029EJ08
, 5H029HJ02
, 5H029HJ14
, 5H029HJ20
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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