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J-GLOBAL ID:200903035524023745

電子ビーム装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 弘男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996113310
Publication number (International publication number):1997306338
Application date: May. 08, 1996
Publication date: Nov. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電界放出冷陰極を用いた電子ビーム装置において、電子ビームの優れた集束特性と電子ビームの高周波変調を実現する。【解決手段】 基板と該基板上に電子引き出し電極を有する複数個の尖鋭なエミッタの集合体が形成され、このエミッタの集合体から放出される電子を、電磁界レンズにより集束するに際し、エミッタ集合体の周囲の電子引き出し電極と概略同一平面上に形成された集束電極により、放出される電子のエミッタンス特性を電子レンズの収差を補償させるよう制御することにより、優れた集束特性を得ることができる。更に、電界放出冷陰極の前記集束電極とエミッタ間の電位差を一定に保つことにより、エミッタ・集束電極間静電容量の影響による高周波特性の劣化を防止する。
Claim (excerpt):
基板上に電子の電界放出を制御する電子引き出し電極を有する複数個の先鋭なエミッタの集合体が形成された電界放出冷陰極より放出される電子を、電磁界レンズで集束させる電子ビーム装置において、前記エミッタが配置される領域(以下エミッタ領域と略す)の中心点より距離r離れたあるエミッタから放出された電子のうち電流密度が最も高い電子の軌道が、前記エミッタと前記エミッタ領域の中心点と前記レンズの中心点の3点を通る第1の平面に垂直でしかも前記エミッタ領域の中心点と前記レンズの中心点を通る第2の平面を横切り、該第2の平面に対して前記エミッタとは反対側の領域で前記レンズを通過し、その通過する点と前記レンズの中心点との距離が前記rに対応して大きくなることを特徴とする電界放出冷陰極を用いた電子ビーム装置。
IPC (3):
H01J 3/18 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15
FI (3):
H01J 3/18 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 31/15 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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