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J-GLOBAL ID：200903035533228333

MOS型半導体集積回路とその製造方法

Inventor： 荒瀬 謙士朗
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027310
Publication number (International publication number)：1994224413
Application date： Jan. 24, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 二種類以上の電源電圧(例えば5Vと3.3V)で動作するMOS型半導体集積回路の高電源電圧動作MOSトランジスタ2のゲート絶縁膜5の信頼度を、低電源電圧動作MOSトランジスタ3の性能低下を伴うことなく高める。【構成】 高電源電圧動作トランジスタ2のゲート絶縁膜5を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作MOSトランジスタ3のゲート絶縁膜6を窒素原子を含有しない酸化物で形成する。

Claim (excerpt)：

異なる電源電圧により駆動されるMOSトランジスタが存在するMOS型半導体集積回路において、高電源電圧で駆動されるMOSトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧で駆動されるMOSトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子を含有しない酸化物で形成したことを特徴とするMOS型半導体集積回路

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/088

FI (2)：

H01L 29/78 301 C ,  H01L 27/08 102 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-122063
  
• 特開平4-297063
  
• 特開平3-030470