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J-GLOBAL ID：200903035563766496

半導体レーザの製造方法

Inventor： 関口 利貞
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 石戸谷 重徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211993
Publication number (International publication number)：1996056050
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、逆メサ型のストライプ構造部を有する半導体レーザの製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 かゝる本発明は、ウェハをエッチングしてストライプ構造部110を形成した後、埋め込み層120を形成してなる半導体レーザの製造方法において、前記エッチング時、ストライプ構造部110に(-11-1),(-1-11)の結晶面方位が現れない形でエッチング処理を行い、しかる後、気相成長法にて埋め込み層120を形成する半導体レーザの製造方法にあり、上記ストライプ構造部のエッチング処理の際、結晶面方位(-11-1),(-1-11)が発生しない形で行うため、その後、気相成長法を採用することができ、この気相成長法によって、良好な電流ブロック層などの埋め込み層を形成することができる。

Claim (excerpt)：

ウェハをエッチングしてストライプ構造部を形成した後、埋め込み層を形成してなる半導体レーザの製造方法において、前記エッチング時、ストライプ構造部に(-11-1),(-1-11)の結晶面方位が現れるのを抑えた形でエッチング処理を行い、しかる後、気相成長法にて埋め込み層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。