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J-GLOBAL ID：200903035564845420

窒化珪素質回路基板及びその製造方法

Inventor：
長谷川 智英

About 長谷川 智英

, 
牧野 晃久

About 牧野 晃久


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999309652
Publication number (International publication number)：2001127388
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】金属箔または金属板からなる配線回路層の表面に無電界メッキ層を形成した場合においても、配線回路層間の窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板表面にメッキの付着やショート等が発生することがない高信頼性の窒化珪素質回路基板を得る。【解決手段】窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板2の表面に、金属箔または金属板からなる配線回路層3が活性金属を含有する接着層4によって被着形成されてなるとともに、配線回路層3の表面に無電解メッキ層5を被着形成してなる窒化珪素質回路基板1であって、基板2表面における少なくとも隣接する配線回路層3間の絶縁基板2表面の表面粗さRmaxを1〜3μmとし、且つ絶縁基板1厚みを0.3〜0.7mmとする。
Claim (excerpt)：
窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面に、金属箔または金属板からなる配線回路層が活性金属を含有する接着層によって被着形成されてなるとともに、該配線回路層の表面に無電解メッキ層を被着形成してなる窒化珪素質回路基板であって、該基板表面における少なくとも隣接する前記配線回路層間の絶縁基板表面の表面粗さRmaxが1〜3μmであり、且つ前記絶縁基板の厚みが0.3〜0.7mmであることを特徴とする窒化珪素質回路基板。
IPC (4)：
H05K 1/03 610 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/38
FI (4)：
H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/24 A ,  H05K 3/38 B
F-Term (14)：
5E339AB06 ,  5E339BC02 ,  5E339CD00 ,  5E339CF17 ,  5E343AA24 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB67 ,  5E343CC01 ,  5E343DD33 ,  5E343DD76 ,  5E343ER39 ,  5E343GG14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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