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J-GLOBAL ID：200903035568268419
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006477
Publication number (International publication number)：1998209453
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】転位欠陥の発生を招かず、かつ簡単な方法で歪みシリコン層を形成すること。【解決手段】まず、第1のシリコン層1、SiO2 層2、第2のシリコン層3が順次積層してなるSOI基板を用意し、次に第1のシリコン層1にイオン4を注入した後、第1のアニールにより第1のシリコン層1内に転位欠陥領域5を形成して、第1のシリコン層1とSiO2 層2を応力的に分離し、次にSiO2 の粘性流動温度以上の第2のアニールにより第2のシリコン層2に引っ張り歪みを発生させる。
Claim (excerpt)：
第1の半導体層、絶縁層、第2の半導体層が順次積層されてなる基板を具備してなり、前記第2の半導体層には歪みが入っており、かつ素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/786
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01L 29/78 626 C
, H01L 27/12 F
, H01L 21/265 Q
, H01L 29/78 621
