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J-GLOBAL ID：200903035578582529

ポリオレフィン表面のシリカ被膜形成方法

Inventor： 新井 範英 ,  広本 和彦 ,  石村 善正 ,  堀口 昌利 ,  松永 豊治 ,  佐藤 輝行
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320721
Publication number (International publication number)：1993156055
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 親水性、接着性に優れ、かつ表面被覆層の剥離が起きないポリオレフィンの表面処理法を提供する。【構成】 ポリオレフィン表面に部分的に反応性置換基を導入し、下記一般式(1)で示されるシラン化合物からなる第一被膜を形成し、下記一般式(2)で示されるアルコキシシランの過水分解物もしくはシリカゾルを用いて第二被膜を形成する。一般式(1)R1nSi(OR2 )(4-n) n=0〜2一般式(2)Hn Si(OR3 )(4-n) n=0,1

Claim (excerpt)：

(a)ポリオレフィンの表面に、放射線照射処理、コロナ放電処理などにより部分的に反応性官能基を導入し、(b)溶媒中もしくは無溶媒で、下記一般式(1)で示されるシラン化合物からなる第一被膜を形成し、(c)下記一般式(2)で示されるアルコキシシランの部分加水分解物もしくはシリカゾルの一方又は両方を用いて第二被膜を形成することを特徴とするポリオレフィン表面のシリカ被膜形成方法。一般式(1)R1nSi(OR2 )(4-n) n=0〜2(式中R1 は、炭素数1〜6の炭化水素基、またはアミノ基、メルカプト基、エポキシ基、メタクリロキシ基、アルコキシ基、ハロゲンなどの置換基を含む炭素数1〜6の有機基、または水素から選ばれる1種もしくは複数の結合基であり、R2 は、炭素数1〜6の炭化水素基、または炭素数1〜6のアシル基、または水素である。)一般式(2)Hn Si(OR3 )(4-n) n=0,1(式中R3 は、炭素数1〜6の炭化水素基)

IPC (5)：

C08J 7/04 CES ,  C01B 33/12 ,  D06M 10/08 ,  D06M 13/517 ,  D21H 13/14

FI (3)：

D06M 10/00 J ,  D06M 13/50 ,  D21H 5/20 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-000644
  
• 特公昭48-035715
  
• 特開昭50-123136
  
• 特開昭61-012734