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J-GLOBAL ID：200903035593834232

窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
小牧 稔生

About 小牧 稔生

, 
楠瀬 健

About 楠瀬 健

, 
市原 隆志

About 市原 隆志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001300915
Publication number (International publication number)：2003110138
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 外部量子効率が最もよくなるように、透光性p電極のシート抵抗と光の透過率との調和を図った窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードを形成する。【解決手段】コンタクト層を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、コンタクト層を有するp型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層のコンタクト層のほぼ全面に形成された金属薄膜より成る透光性p電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードであって、その透光性p電極が、金および白金族元素のいずれか1種を含む金属電極からなり、さらに透光性p電極のシート抵抗Rp(Ω/□)とn型窒化ガリウム系化合物半導体層のコンタクト層のシート抵抗Rn(Ω/□)との関係がRp≧Rnとなるように薄膜化され、アニールされていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
n型不純物濃度1017〜1020/cm3のコンタクト層を有するn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成され、p型不純物濃度1017〜1020/cm3のコンタクト層を有するp型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層と前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟まれた量子井戸構造から成る活性層と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層のコンタクト層上に形成したn電極と、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のコンタクト層のほぼ全面に形成された金属薄膜より成る透光性p電極と、前記透光性p電極上に形成されているワイヤボンディング用台座電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードであって、前記透光性p電極が、金および白金族元素の群から選択された1種を含む金属電極からなり、前記透光性p電極のシート抵抗Rp(Ω/□)と前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層のコンタクト層のシート抵抗Rn(Ω/□)との関係がRp≧Rnとなるように薄膜化され、アニールされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
F-Term (12)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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