半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162276
Publication number (International publication number)：1995273299
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】記憶データ集積度を高める。【構成】ワード線22の側面にサイドウォール32を選択的に形成し、これをマスクとしてメモリセルの活性領域24の幅または長さを変化させることでメモリセルのオン電流値を変え、異なる電気的特性を有する複数種類のメモリセルを形成する。【効果】 1メモリセル当たりの記憶データが多値化し、メモリセル数が減る。

Claim (excerpt)：

ゲート、ゲート絶縁膜、活性領域、ソースおよびドレインを有する複数個のメモリセルが配列された半導体記憶装置であって、前記メモリセルのうち少なくとも一部のメモリセルは、前記活性領域のしきい値が他のメモリセルと異なって設定された第0類のメモリセル、前記活性領域に第1の抵抗値を有せしめられた第1類のメモリセル、および前記活性領域に第2の抵抗値を有せしめられた第2類のメモリセルのうちのいずれかに設定される半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/115 , G11C 17/12 , G11C 16/04

FI (3)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 304 A , G11C 17/00 305

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体メモリ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073280 Applicant：株式会社リコー
特開昭59-148360
半導体メモリ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-280755 Applicant：株式会社リコー

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