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J-GLOBAL ID：200903035603506077

薄膜光電変換素子

Inventor： 森 健 ,  高見沢 稔 ,  阪口 新
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037473
Publication number (International publication number)：1996195502
Application date： Jan. 18, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 CuInGaSe2化合物半導体を光電変換層とした薄膜光電変換素子における光電変換効率のバラツキを同光電変換層に別種の元素を含ませることにより減少させる。【構成】 CuInGaSe2化合物半導体を主成分とした光電変換層の形成時にGdをスパッタリング法により所定量だけ含ませて薄膜光電変換素子を作製する。

Claim (excerpt)：

Ib族、IIIb族、VIb族の各々より選ばれる元素を含んで成る光電変換層を有する薄膜光電変換素子で、前記変換層が希土類元素を重量で5ppm〜5%の割合で含有することを特徴とする薄膜光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A