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J-GLOBAL ID：200903035614127019
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031178
Publication number (International publication number)：1993251687
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】横型GaAsショットキダイオードのオーミックメタル形成工程において、酸化膜開口のオーバーハングによるオーミックメタル段切れオープン不良を解消する。【構成】半絶縁性GaAs基板1にCVD法により低抵抗エピタキシャル層2および活性層3を順次成長させる。つぎにレジスト4をマスクとしてイオン注入層6を形成したのち窒化膜7を堆積してアニールする。つぎにレジスト4aを形成してからオーミックメタルを蒸着する。つぎにレジスト4aとともに不要のオーミックメタル8をリフトオフしたのち、酸化膜7aを堆積してから開口を形成する。つぎにスパッタ法およびめっき法により、ビームリード9を形成する。こうして低抵抗エピタキシャル層2とビームリード9とが、低抵抗イオン注入層6およびオーミックメタル8を介して電気的に接続される。
Claim (excerpt)：
半絶縁性GaAs基板の一主面上に気相成長法により低抵抗エピタキシャル層および活性層を順次成長させる工程と、レジストをマスクとして前記活性層表面から前記低抵抗エピタキシャル層に達するイオン注入層を形成する工程と、前記レジストを用いたリフトオフ法により前記イオン注入層の上にオーミックメタルを形成する工程と、前記オーミックメタルの上に開口を有する酸化膜を形成する工程と、前記オーミックメタルに接続する電極メタルを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/48
, H01L 21/205
, H01L 21/265
, H01L 21/324
