Pat

J-GLOBAL ID：200903035615893548

Si基板およびその表面処理方法

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男 ,  長野 克人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995083184
Publication number (International publication number)：1996255790
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 酸化物のエピタキシャル成長に際し、成膜温度領域で、Si表面の構造が安定で、かつ結晶構造情報を成長させる酸化物膜へ伝える役割を果たし、再現性があり、量産性に優れるSi基板およびその表面処理方法を提供することを目的とするものである。【構成】 Si単結晶で構成され、その基板表面が、アルカリ土類、希土類(Sc、Yを含む)、Zr、Hfの少なくとも1種類の金属と酸素とにより形成された1×1の表面構造を有する。

Claim (excerpt)：

Si単結晶で構成され、その基板表面が、アルカリ土類、希土類(Sc、Yを含む)、ZrおよびHfの少なくとも1種類の金属と酸素とにより形成された1×1の表面構造を有するSi基板。

IPC (7)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (7)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/316 S ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B