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J-GLOBAL ID：200903035616690063

抵抗・温度ヒュ-ズ及びその製作方法

Inventor： 植村 充明
Applicant, Patent owner： 内橋エステック株式会社
Agent (1)： 松月 美勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997275091
Publication number (International publication number)：1999096871
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板型抵抗・温度ヒュ-ズにおいて、抵抗の通電発熱電力が大であっても、薄い基板厚さのもとで、基板の熱亀裂を良好に防止できる抵抗・温度ヒュ-ズ及びその製作方法を提供する。【解決手段】二枚のセラミックス基板11,12が焼成により積層一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電極21,22と膜抵抗20とがセラミックス基板11,12に焼結一体化されて配設され、上記膜電極21,22が積層一体板の表面にスルホ-ル211,221により電気的に導出され、積層一体板の上面にヒュ-ズ取付用膜電極31,32が設けられ、これらの膜電極間に温度ヒュ-ズエレメント30が接続されている。

Claim (excerpt)：

二枚のセラミックス基板が焼成により積層一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電極と膜抵抗とがセラミックス基板に焼結一体化されて配設され、上記膜電極が積層一体板の外面にスルホ-ルにより電気的に導出され、積層一体板の上面にヒュ-ズ取付用膜電極が設けられ、これらの膜電極間に温度ヒュ-ズエレメントが接続されていることを特徴とする抵抗・温度ヒュ-ズ。

FI (3)：

H01H 37/76 F ,  H01H 37/76 K ,  H01H 37/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 抵抗温度ヒューズ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-218369   Applicant：関西日本電気株式会社
• 特開平3-110802