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J-GLOBAL ID：200903035623832469

炭素被膜のエツチング方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991169305
Publication number (International publication number)：1993006877
Application date： Nov. 28, 1981
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】炭素膜をエッチングすること。【構成】本発明は、炭素膜をフッ化物気体でプラズマエッチングすること

Claim (excerpt)：

炭素膜をフッ化物気体でプラズマエッチングすることを特徴とする炭素被膜のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-110374
  
• 特開昭56-130927
  
• 特開昭56-122129
  
• 特開昭58-092218