半導体光電陰極およびこれを用いた半導体光電陰極装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994292983
Publication number (International publication number)：1996153462
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】量子効率を改善すると同時に開口率100%で、構造上の画素分離が不要であり、また、信号の変調も可能である半導体光電陰極装置を提供する。【構成】半導体基板10上に光の入射に応答して電子を発生するp型第1半導体層20(光吸収層)が形成されている。p型半導体層20上には、第1不純物濃度をp型第2半導体層30(電子移送層)が形成されている。ショットキ電極50は、p型第2半導体層30とショットキ接触をなしている。また、p型第2半導体層30の表面であって、ショットキ電極50の開口内には第3半導体層40(活性層)が形成されている。p型第2半導体層30内には第2半導体層30よりも高い第2不純物濃度を有する半導体部60(チャネル格子)が埋設されている。

Claim (excerpt)：

入射される光に感応して発生した電子を外部から電圧を印加することにより加速して放出する半導体光電陰極において、p型の第1半導体層と、第1不純物濃度を有して前記第1半導体層上に形成されたp型の第2半導体層と、開口を有し、前記第2半導体層とショットキ接触を成して前記第2半導体層の表面の全部または一部を覆うように形成されたショットキ電極と、前記第2半導体層の仕事関数より小さな仕事関数を有し、前記ショットキ電極の開口内に形成された第3半導体層と、前記第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度を有し、前記ショットキ電極をその厚み方向に貫く延長線上であって、前記第2半導体層の内部に配置されたp型の半導体部と、を備えることを特徴とする半導体光電陰極。

IPC (5)：

H01J 1/34 , H01J 29/38 , H01J 40/06 , H01J 43/08 , H01L 29/872

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特表平5-504652
特公平2-001327
特公昭52-020222

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