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J-GLOBAL ID：200903035628804757

ITOスパツタリングタ-ゲツト

Inventor： 中島 光一 ,  桑野 勝男 ,  佐藤 則秋
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 今井 毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991336298
Publication number (International publication number)：1993148635
Application date： Nov. 26, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリング時に異常放電やノジュ-ルの発生が殆どなく、またガスの吸着も極力少なくて、良好な成膜作業下で品質の高いITO膜を安定して得ることのできるITO焼結タ-ゲットを提供する。【構成】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした粉末冶金原料を酸素雰囲気中で焼結する工程を取り入れること等により、表面粗さRaが 0.5μm以下に調整されて成るか、或いは更に密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm)がa) 6.20 ≦ D ≦ 7.23 ,b) -0.0676D+0.887 ≧ ρ ≧ -0.0761D+0.666 ,なる2つの式を同時に満たして成るITO焼結タ-ゲット”を実現する。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたITOスパッタリングタ-ゲットであって、表面粗さRaが0.5μm以下であることを特徴とするITOスパッタリングタ-ゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-207858
  
• 特開平3-130360
  
• 特開平2-297812
  
• 特開平2-297813