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J-GLOBAL ID：200903035662348191

半導体結晶ウエハの研磨方法

Inventor： 谷 毅彦 ,  秋山 弘樹 ,  植松 鋭
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000211957
Publication number (International publication number)：2002025954
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】粗研磨半導体結晶ウエハをメカノケミカル研磨したとき、表面にくもりの発生がなく、且つヘイズレベルが低い鏡面研磨半導体結晶ウエハを効率的に得る。【解決手段】鏡面研磨装置に粗研磨半導体結晶ウエハを装着した後、該粗研磨半導体結晶ウエハの装着箇所に研磨液をかけながらメカノケミカル研磨する半導体結晶ウエハの研磨方法において、前記研磨液としてベース研磨液に界面活性剤とアルカリ水溶液とを混合して成る界面活性剤・アルカリ水溶液混合研磨液を用いる。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨装置に粗研磨半導体結晶ウエハを装着した後、該粗研磨半導体結晶ウエハの装着箇所に研磨液をかけながらメカノケミカル研磨する半導体結晶ウエハの研磨方法において、前記研磨液としてベース研磨液に界面活性剤とアルカリ水溶液とを混合して成る界面活性剤・アルカリ水溶液混合研磨液を用いることを特徴とする半導体結晶ウエハの研磨方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/306

FI (5)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 M

F-Term (13)：

3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA03 ,  5F043BB07 ,  5F043BB28 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10