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J-GLOBAL ID：200903035662811290

III族窒化物半導体およびその製造方法

Inventor： 新村 康
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128471
Publication number (International publication number)：1999330546
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】エピタキシャル成長したIII族窒化物半導体層上のオーミック電極の接触抵抗を低減する。【解決手段】オーミック電極として、窒素ラジカルを用いたMBEによりIII族窒化物半導体の表面に、TiN、ZrN等のIVa族金属の窒化物を形成する。

Claim (excerpt)：

III族窒化物層上のオーミック電極として、IVa族元素の窒化物を用いることを特徴とするIII族窒化物半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18