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J-GLOBAL ID：200903035672620590

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小柳 賢一 ,  藤井 邦宏 ,  宇佐美 達矢 ,  岸本 光司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226669
Publication number (International publication number)：1999067907
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フッ素を含有する絶縁膜からなる層間絶縁膜上に形成した金属膜配線の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si-F結合基を有するシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜204上に窒化チタンからなるF拡散のバリアメタル層207aを堆積し、その上に金属膜配線を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたフッ素を含有した絶縁膜を少なくとも一部に含む絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された窒化チタン膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314

FI (4)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-095117   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子における配線構造とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-161708   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-177894   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-026029   Applicant：ヤマハ株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320912   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-252541   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-134183   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191804   Applicant：富士通株式会社