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J-GLOBAL ID:200903035685846067

電界発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991198893
Publication number (International publication number):1993017766
Application date: Jul. 12, 1991
Publication date: Jan. 26, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】 有機化合物層の少なくとも一層が一般式(1)又は(2)の金属錯体等を構成成分とする層である電界発光素子。(R1〜R8は水素、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、ヒドロキシ基、スルホン酸残基又はスルホン酸塩残基、ハロゲン、カルボキシル基、アルコキシ基を表わす。R1〜R8は隣接基と芳香族縮合環を形成してもよい。MはAl、Ga、Y、Sc、In、La、Lu、Mg等を表わす。)(Rはアルキル基、アリール基、置換チオ尿素残基、Xはアルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン、nは1〜3の整数、MはAl、Ga、Be、Sc等を表わす。)【効果】 低駆動電圧でも長期間にわたり高輝度が得られると共に種々の色調が可能となり、また真空蒸着法等により容易に安価で大面積の素子を効率よく生産できる。
Claim (excerpt):
陽極及び陰極と、これらの間に挾持された一層または複数層の有機化合物層より構成される電界発光素子において、有機化合物層のうち少なくとも一層が、芳香族O,O’-ジヒドロキシアゾ化合物を配位子とする一般式化1で表わされる金属錯体を構成成分とする層であることを特徴とする電界発光素子。【化1】(式中、R1〜R8は水素、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基、ヒドロキシ基、スルホン酸残基もしくはスルホン酸塩残基、ハロゲン、カルボキシル基、アルコキシ基を表わす。R1〜R8は隣接したどおしで芳香族縮合環を形成してもよい。MはAl、Ga、Y、Sc、In、La、Lu、Mg等の金属を表わす。)
IPC (3):
C09K 11/06 ,  C09K 11/00 ,  H05B 33/14

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