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J-GLOBAL ID：200903035697235586

半導体発光素子および露光装置

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997232180
Publication number (International publication number)：1999074559
Application date： Aug. 28, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子において、青色もしくは緑色の光ビームを小さいスポット径でかつ小さい放射角で発光可能とする。【解決手段】 基板1上に、活性層7をクラッド層6、8で挟むダブルヘテロ構造を含むInGaN 系の半導体層を順次形成し、リッジ形状を有する屈折率導波型のストライプ構造の半導体発光素子とする。素子の劈開面は反射面とし、半導体層構成および屈折率導波型の光導波機構と劈開面である両光出射端面の反射機構とからなる光反射構造を形成する。

Claim (excerpt)：

光導波機構を有し、発光端面に反射鏡が形成されている、ストライプ構造の半導体発光素子であって、前記光導波機構により制限された発光領域から、緑色もしくは450nm以上の波長を有する青色の光ビームをスーパーラディアンスにより発光することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-206360   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-215625   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202480   Applicant：ローム株式会社