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J-GLOBAL ID：200903035707276502

半導体定電流源回路

Inventor： 加藤 正裕
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991167200
Publication number (International publication number)：1993013687
Application date： Jul. 08, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 外部バイアス用の端子を必要とせずに、製造後検査時に良好な電流値を設定しうる半導体定電流源回路を提供する。【構成】 FET110と、このFET110と互いにドレインが接続されたFET111と、FET110のソースとFET111のソースとの間に複数の抵抗120及びプルダウン端子130からなる抵抗網150とを備えている。さらに、プルダウン端子130が外部の回路である電源の負側の端子160と選択的に接続可能になっている。FET110のゲート、FET111のゲートおよびFET110のソースが互いに接続されている。

Claim (excerpt)：

ゲート及びソースが接続された第1のFETと、この第1のFETと互いにドレインが接続されかつ前記第1のFETのソースにゲートが接続された第2のFETと、前記第2のFETのソースとゲートとの間に複数の抵抗及びその抵抗の端点に設けられた端子からなる抵抗網とを備え、前記端子が選択的に外部の回路と接続可能であることを特徴とした半導体定電流源回路。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/82