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J-GLOBAL ID：200903035710207279

薄膜の形成法

Inventor： 牧田 研介 ,  森口 泰夫 ,  奥田 順市
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993217745
Publication number (International publication number)：1995068219
Application date： Sep. 01, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】リバースロールコート成膜法によって、10μm程度以下、特に1μm程度以下の薄膜を連続的に基板上に塗布し成膜する薄膜の形成法に関する。【構成】基板上にリバースロールコート成膜法によって薄膜を形成する方法において、被膜形成用溶液として、金属アルコキシド、金属アセチルアセトネートもしくは金属石ケンの有機金属化合物のうち少なくとも1種類と、1種もしくは2種以上の有機溶剤とを含み、かつ有機金属化合物の濃度が酸化物に換算して0.1wt %〜10wt%で、しかも溶液の粘度が0.1cP 〜100cP に調製した溶液を用い、成膜後焼成する薄膜の形成法。更に前記リバースロールコート成膜が、ロールの回転速度を2〜55m/分、基板の搬送速度を1〜30m/分とし、かつロールの回転速度が基板の搬送速度より速くなるようにする薄膜の形成法。

Claim (excerpt)：

基板上にリバースロールコート成膜法によって被膜を形成する薄膜の形成法において、被膜形成用溶液として、金属アルコキシド、金属アセチルアセトネートもしくは金属石ケンの有機金属化合物のうち少なくとも1種類と、1種もしくは2種以上の有機溶剤とを含み、かつ有機金属化合物の濃度が酸化物に換算して0.1wt %〜10wt%で、しかも溶液の粘度が0.1cP〜100cPに調製した溶液を用い、成膜後焼成することを特徴とする薄膜の形成法。

IPC (7)：

B05D 7/24 302 ,  B05D 1/28 ,  B60J 1/00 ,  C03C 17/25 ,  C03C 17/34 ,  C23C 18/12 ,  C23C 18/31