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J-GLOBAL ID：200903035711875976

半導体装置の製造方法

Inventor： 長澤 正樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991277489
Publication number (International publication number)：1993121410
Application date： Oct. 24, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、複数のパッド上に高さの異なるバンプを同時に形成することにより、リード線の数を増大し、多ピン化を実現する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ウェーハに配置された全てのチップ4に渡って、チップ4a,4bの外側に配列した全てのパッド6をパッド間配線層によってウェーハ端部に形成するメッキ用電極61a,62a,63a,61b,62bに接続し、同様にその内側に配列した全てのパッド8を他のメッキ用電極81a,82a,83a,81b,82bに接続する。Auメッキ液にウェーハのパッド等が形成された面を浸し、パッド8に流れる電流密度をパッド6に流れる電流密度より大きくなるように制御することにより、パッド8上に成長させたバンプの高さをパッド6上に成長させたバンプの高さより、高くする。

Claim (excerpt)：

複数のチップが作製された半導体ウェーハを所定のメッキ液に浸し、前記チップ内の周辺領域に配置された複数のパッドに電流を流して、前記複数のパッド上にそれぞれバンプを形成する半導体装置の製造方法において、前記複数のパッドを前記チップ内の周辺領域に複数列に配置し、前記複数列のパッドのうち、前記チップ内のより内側に配列されたパッドほど大きな電流密度の電流を流し、前記チップ内のより内側に配列されたパッドほど、前記パッド上に形成される前記バンプの高さが高くなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。