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J-GLOBAL ID：200903035720191010

制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置

Inventor： 坂本 光造 ,  吉田 功
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275171
Publication number (International publication number)：1997116101
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】スイッチング速度の向上、過電流保護動作時のゲート電流低減、過電流保護領域の面積低減を図った制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置を得る。【解決手段】パワーMOSFET43のゲート91とゲート端子11の間にMOSFET30を接続し、MOSFET30のゲートとソース間にダイオード14を、ドレインとゲート間に抵抗16を接続する。パワーMOSFETに大電流が流れるとMOSFET21にも電流が流れ、MOSFET21とカレントミラー接続されたMOSFET31がオンしてMOSFET30のゲート電圧をソースよりも低くするので、MOSFET30のオン抵抗が高くなる。これにより、パワーMOSFETのゲート91はドレイン電流が規定電流値以下になるように制御できる。パワーMOSFET43をオンするときは、ゲート端子11の電圧が抵抗16を介してMOSFET30のゲートへ印加される。

Claim (excerpt)：

ドレイン端子とゲート端子とソース端子を備えると共に、ドレインをドレイン端子に接続しソースをソース端子に接続したパワーMOSFETと、パワーMOSFETの動作状態を検出するための状態検出ノードと、ドレインをゲート端子に接続しソースをパワーMOSFETのゲートに接続した第1のMOSFETと、状態検出ノードの電圧が増加したときに第1のMOSFETのゲート電圧をパワーMOSFETのゲート電圧より低く制御するゲート制御手段と、を少なくとも有することを特徴とする制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 657 G