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J-GLOBAL ID：200903035725701644

X線分析装置及びこれを用いた半導体製造装置

Inventor： 内田 史彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095144
Publication number (International publication number)：1993291152
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ガスソ-ス原料とし10-3Torr以上の圧力下で成膜するMOCVD(Metal Organic Chemichal Vapor Deposition)やALE(Atomic Layer Epitaxy)において基板面内の局所領域における膜成長過程を原子層オ-ダで観察することである。【構成】 MOCVD装置において線源1から出射されたX線を集光ミラ-3を用いて基板6面上に全反射臨界角付近の斜入射角で照射する。この時、得られた基板6面からのX線の信号をX線検出器5を用いて検出する。【効果】 本発明を用いれば10-3Torr以上の圧力においても基板面内の成長膜の状態を高い横分解能でモニタできるので、これを成長条件に反映させてより適切な成長プロセス条件を決定できる。

Claim (excerpt)：

X線を基板に照射して基板表面の結晶構造を観察するX線分析装置において、X線を集光する少なくとも一つの光学素子を有するX線分析装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/203