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J-GLOBAL ID：200903035736441563

半導体レーザ装置

Inventor： 井手 大輔 ,  林 伸彦 ,  田尻 敦志 ,  別所 靖之
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092985
Publication number (International publication number)：1994302004
Application date： Apr. 20, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光ディスク等からの一次回折戻り光によるトラッキングエラー等を防止することのできる半導体レーザ装置を得る。【構成】 半導体レーザ装置10の出射側端面において、一次回折戻り光を受ける部分に、表面の荒れた薄膜11を形成することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

一次回折戻り光を受ける出射側端面の部分に、表面の荒れた薄膜が形成されていることを特徴とする、半導体レーザ装置。

IPC (3)：

G11B 7/125 ,  G02B 27/00 ,  H01S 3/18