プラズマエッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：廣澤勲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004353799
Publication number (International publication number)：2006165228
Application date： Dec. 07, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングする際に、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いる。このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記プラズマにより前記被エッチング材料表面のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行う。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングするプラズマエッチング方法において、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いて、このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記プラズマにより前記被エッチング材料表面のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/302 104Z

F-Term (10)：

5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DB13 , 5F004EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-255028 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (5)

特開平4-021793
特開平3-262120
構造体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-250982 Applicant：日本板硝子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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