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J-GLOBAL ID：200903035759645603

プラズマ処理装置

Inventor： 山内 健資
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999081892
Publication number (International publication number)：2000277295
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 マイクロ波励起のプラズマ処理装置で、誘電体窓の表面でのスパッタリングによるディンプル発生を抑制して、かつ、良好な広がりのあるプラズマを生成して、被処理物に処理を施すことができるプラズマ処理装置。【解決手段】 マイクロ波を伝達する導波管3の底部に、真空チャンバ1内に貫通する同軸変換アンテナ4の金属棒12を誘電体窓2に埋設して設け、かつ、金属棒12の真空チャンバ1内への突出部の長さはマイクロ波の波長の1/2以下に設定する。

Claim (excerpt)：

導波管内を進行したマイクロ波を誘電体窓から透過させ、この誘電体窓により真空封止された真空チャンバ内のガスをプラズマ化して前記真空チャンバ内の被処理物に処理を施すプラズマ処理装置において、前記導波管の底部には前記真空チャンバ内に貫通する金属棒であるアンテナが前記誘電体部材に覆われるように設けられ、かつ、前記金属棒の前記真空チャンバ内への突出部の長さは前記マイクロ波の波長の1/2以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H05H 1/46 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

F-Term (15)：

5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F045AA09 ,  5F045EB05 ,  5F045EC05 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ09