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J-GLOBAL ID：200903035762492982

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山本 剛 ,  小島 淳 ,  中村 広希
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999165686
Publication number (International publication number)：2000082812
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電圧の変動を防止し、サージ耐圧が高くできると共にパンチスルーの発生を防止できるようにする。【解決手段】 ベース領域3のうち、表面チャネル層5と接しない領域3bをB(ボロン)で形成し、表面チャネル層5と接する領域3aをAl(アルミニウム)で形成する。このように、拡散係数の小さいAlで領域3aを形成すれば、Bの拡散によるしきい値電圧の変動を防止できる。また、表面チャネル層5と接しない領域3bは、活性化率が高く、活性化エネルギーの小さいBで形成されるようにすることで、サージ耐量を向上できる。また、この領域3bを飛程の長いBで形成しているため、接合深さが容易に深くでき、パンチスルー発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上にこの半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域において、該表層部から離間した位置に、第2導電型の第1のドーパントを含む所定深さの第1のベース領域(3b)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、前記第1のベース領域と重なると共に前記半導体層の表面部で終端する第2導電型の前記第1のドーパントより拡散係数の小さい第2のドーパントを含む第2のベース領域(3a)を形成する工程と、前記第2のベース領域の上部に第2導電型の表面チャネル層(5)を形成する工程と、前記第2のベース領域の表層部の所定領域に前記表面チャネル層に接すると共に、前記第1のベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)を形成する工程と、前記表面チャネル層上にゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成する工程と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 A