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J-GLOBAL ID：200903035764983940
MgOターゲット及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996324059
Publication number (International publication number)：1998158826
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 スパッタ法によるAC型PDPのMgO保護膜の成膜に好適な高純度・高密度MgOターゲットを提供する。【解決手段】 純度99.9%以上、相対密度99.0%以上の高純度・高密度MgO焼結体よりなる、スパッタ成膜速度600Å/min以上に対応可能なMgOターゲット。高純度MgO粉末に、電融MgO粉末10〜60重量%と平均粒径100nm以下のMgO微粉末1〜5重量%とバインダーを添加、混合して成形・脱脂した後、1250〜1350°Cで一次焼結し、次いで1500°C以上で二次焼結する。【効果】 MgO微粉末の配合及び二段焼結により、高純度・高密度MgO焼結体を製造できる。電融MgO粉末の配合により、結晶性の良好なMgO膜が成膜可能となる。良好な配向性、結晶性及び膜特性を有するMgO膜を、スパッタ法により高い成膜速度で成膜できる。
Claim (excerpt)：
MgO純度99.9%以上、相対密度99.0%以上のMgO焼結体よりなるMgOターゲットであって、スパッタ成膜速度600Å/min以上に対応可能なMgOターゲット。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/04 Z
