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J-GLOBAL ID：200903035772273502

単結晶成長方法

Inventor： 太田 潔 ,  古賀 和幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995277628
Publication number (International publication number)：1997110584
Application date： Oct. 25, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶性のよい単結晶を成長する方法を提供することである。【解決手段】 保持部3にて保持される種結晶4上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、種結晶4と保持部3がこれら間に介在する炭化層5により機械的に結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長する。

Claim (excerpt)：

保持部にて保持される種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、前記種結晶と前記保持部がこれら間に介在する炭化層により結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長することを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (3)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 33/00 A