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J-GLOBAL ID：200903035778445844

CVD装置

Inventor： 土井 伸昭 ,  蔦原 晃一郎 ,  檜垣 孝志 ,  松井 安次 ,  結城 昭正 ,  川原 孝昭 ,  内川 英興 ,  渡井 久男 ,  松野 繁 ,  木ノ内 伸一
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238315
Publication number (International publication number)：1995094426
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 液体原料用CVD装置において、溶液原料の気化および成膜中の、原料容器10内および配管系の粒子析出、詰まりおよび溶液原料の濃度変化を防止して均一で良質な薄膜を形成する。【構成】 原料容器10から液体原料を液体状態で供給し、ノズル12先端で、希釈ガス流により微粒化させて気化器内に噴出させて気化させ、この気化ガスを反応室6へ送って成膜する。

Claim (excerpt)：

希釈ガスを用いて液体原料を気化させた気化ガスを、反応室に供給して被処理基板上に成膜するCVD装置において、上記液体原料を入れる原料容器と、この原料容器からの液体原料を取り出す液体原料供給器と、この液体原料供給器からの液体原料と上記希釈ガスとの供給を受けて、上記液体原料を微粒化して噴出する手段と、この微粒化した液体原料を気化させる気化器とを備えたことを特徴とするCVD装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-126872
  
• 特開昭50-147879
  
• 特開平1-175225
  
• 特開昭64-075032
  
• 特開昭58-086719
  
• 特開平1-301585