Pat
J-GLOBAL ID:200903035779712250

厚膜レジストパターンの製造法及びその製造法により製造された厚膜レジストパターン

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 邦彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994172479
Publication number (International publication number):1996036266
Application date: Jul. 25, 1994
Publication date: Feb. 06, 1996
Summary:
【要約】【目的】 レジストラインの断面形状が矩形で、密着性の良好な膜厚レジストパターンの製造法を提供する。【構成】 感光性フィルムを基材上にラミネートし、110〜250μmの厚膜感光性樹脂層を形成し、これを露光、現像してレジスト間隔が30〜200μmのレジストパターンを形成する工程において、(1)感光性樹脂層のγ値(21段ステップタブレット(1段の濃度の差0.15)で、1段当りの現像残膜厚の変化量)が90μm/段以上となるように露光後加熱する工程及び(2)必要に応じて現像後活性光線を照射する工程あるいは加熱する工程を有する厚膜レジストパターンの製造法及びその製造法により製造された厚膜レジストパターン。
Claim (excerpt):
感光性フィルムを基材上にラミネートし、110〜250μmの厚膜感光性樹脂層を形成し、これを露光、現像してレジスト間隔が30〜200μmのレジストパターンを形成する工程において、(1)感光性樹脂層のγ値(21段ステップタブレット(1段の濃度の差0.15)で、1段当りの現像残膜厚の変化量)が90μm/段以上となるように露光後加熱する工程及び(2)必要に応じて現像後活性光線を照射する工程あるいは加熱する工程を有する厚膜レジストパターンの製造法。
IPC (5):
G03F 7/26 513 ,  G03F 7/38 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page