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J-GLOBAL ID：200903035783771563

炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994228560
Publication number (International publication number)：1996097441
Application date： Sep. 26, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】高温に耐え得る半導体材料よりなるSiCを用いた高耐圧化の可能なショットキーダイオードのショットキー電極が、高温でSiCと反応せず、また密着性が良好で剥離が起きないようにする。【構成】n形SiCの上にAl-Ti合金により、あるいはAl膜とTi膜を交互に積層してショットキー電極を形成し、高温で熱処理する。そして、ショットキー接合の周りにp形SiC層を形成してpn接合を設けることにより、ショットキー接合周縁における電界集中を防ぎ、高耐圧特性を安定化させる。

Claim (excerpt)：

n形炭化けい素半導体素体表面にアルミニウムおよびチタンよりなる電極層を被着したのち、これを600〜1200°Cの温度範囲で熱処理してショットキー電極を形成することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法。

FI (2)：

H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 M