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J-GLOBAL ID：200903035784101340

シリコン酸化膜エレクトレット及びエレクトレットコンデンサマイクロホン

Inventor： 南 内嗣 ,  大林 義昭 ,  安田 護 ,  条邊 文彦
Applicant, Patent owner： 南 内嗣 ,  ホシデン株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001138536
Publication number (International publication number)：2002033241
Application date： May. 09, 2001
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 耐湿特性に優れ、且つ、リフロー用素子としての使用に耐えうるシリコン酸化膜エレクトレット及びエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供する。【解決手段】 基材1表面にシリコン酸化膜を成膜し、成膜雰囲気から大気開放すること無く乾燥空気、純酸素ガス、または、酸素含有Arガス雰囲気の下、200°C〜400°Cで熱処理し、その後に帯電処理してなるシリコン酸化膜エレクトレット。

Claim (excerpt)：

基材表面にシリコン酸化膜を成膜し、成膜雰囲気から大気開放すること無く水分を含まない酸素を含有するガス雰囲気の下、200°C〜400°Cで熱処理し、その後に帯電処理してなるシリコン酸化膜エレクトレット。

IPC (2)：

H01G 7/02 ,  H04R 19/01

FI (3)：

H01G 7/02 A ,  H01G 7/02 E ,  H04R 19/01

F-Term (1)：

5D021CC08