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J-GLOBAL ID:200903035786846041

熱処理装置、熱処理方法、強誘電体薄膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997339623
Publication number (International publication number):1999171548
Application date: Dec. 10, 1997
Publication date: Jun. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、熱処理方法として、減圧下での熱処理が極めて有効であることを見い出しなされたものであって、この様な減圧条件での熱処理を低温で最適に行うことを可能するとこによって、優れた材料特性を有するにも拘わらず結晶化温度が高い為にデバイス化への適用が困難であった強誘電体材料であっても、デバイス化への検討が可能となる熱処理装置、熱処理方法、及び強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 板状試料11,12を加熱処理する際、板状試料11,12の一方の面から加熱すると同時に他方の面にガスを吹き付ける機構を具備して熱処理装置を構成する。
Claim (excerpt):
板状試料を加熱処理する際、板状試料の一方の面から加熱すると同時に他方の面にガスを吹き付ける機構を具備することを特徴とする熱処理装置。
IPC (2):
C01G 35/00 ,  H01B 3/12 312
FI (2):
C01G 35/00 ,  H01B 3/12 312

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