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J-GLOBAL ID：200903035802832102
不揮発性半導体記憶装置及びベリファイ方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平戸 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996094071
Publication number (International publication number)：1997282895
Application date： Apr. 16, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】電気的消去及び書込み可能な不揮発性半導体記憶装置、例えば、フラッシュ・メモリに関し、リファレンス・セルのスレッショルド電圧が目標値から外れた電圧値に設定されてしまった場合であっても、正確なベリファイを行うことができるようにする。【解決手段】リファレンス・セル21と同一の電圧条件で消去及び書込みを行うことによりベリファイ電圧制御用セル79のスレッショルド電圧を設定し、ベリファイ時、ベリファイ電圧制御用セル79を抵抗として機能させ、リファレンス・セル21のスレッショルド電圧の現実値に応じたベリファイ電圧VEB21又はVWB21をリファレンス・セル21のコントロール・ゲートに供給する。
Claim (excerpt)：
コントロール・ゲート及びフローティング・ゲートを有し、電気的消去及び書込みが可能とされたデータ記憶用の不揮発性メモリ・セルと、コントロール・ゲート及びフローティング・ゲートを有し、前記データ記憶用の不揮発性メモリ・セルとは別個に消去及び書込みを行うことによりスレッショルド電圧の設定が行われる電気的消去及び書込みが可能とされたリファレンス用の不揮発性メモリ・セルと、前記データ記憶用の不揮発性メモリ・セルに流れる電流と、前記リファレンス用の不揮発性メモリ・セルに流れる電流とを比較し、消去ベリファイ時には、前記データ記憶用の不揮発性メモリ・セルの消去状態を検出し、書込みベリファイ時には、前記データ記憶用の不揮発性メモリ・セルの書込み状態を検出するセンス・アンプとを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記データ記憶用の不揮発性メモリ・セル及び前記リファレンス用の不揮発性メモリ・セルのコントロール・ゲートに対して、前記消去ベリファイ時には、前記リファレンス用の不揮発性メモリ・セルのスレッショルド電圧の現実値に応じた消去ベリファイ可能な消去ベリファイ電圧を供給し、前記書込みベリファイ時には、前記リファレンス用の不揮発性メモリ・セルのスレッショルド電圧の現実値に応じた書込みベリファイ可能な書込みベリファイ電圧を供給する第1のベリファイ電圧供給回路を備えていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 B
