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J-GLOBAL ID：200903035818312737
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049456
Publication number (International publication number)：1995263678
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 短チャネル効果が十分に抑止された半導体装置を提供する。【構成】 p型シリコン基板101の表面上にゲート絶縁膜103を介して形成されたゲート電極104と、窒素成分を必須成分として含むシリコン材料である窒化シリコンから成りゲート電極104の側面に形成された側壁106と、側壁106の外側のp型シリコン基板101表面上に形成され不純物が注入された後に熱処理されるシリコン層107とを含んでいる。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、絶縁材料から成り前記ゲート電極の側面に形成された側壁と、前記側壁の外側の前記半導体基板の表面上に形成された反対導電型の半導体層とを含む半導体装置において、前記絶縁材料は、窒素成分を必須成分として含むシリコン材料であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 L
, H01L 21/265 L
, H01L 29/78 301 S
Cited by examiner (6)
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